STGF10NB60SD 意法半導(dǎo)體單 IGBT
意法半導(dǎo)體 STGF10NB60SD 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 23 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 25 W |
| Switching Energy | 600μJ (on), 5mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 33 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 700ns/1.2μs |
| Test Condition | 480V, 10A, 1kOhm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
STGF10NB60SD 意法半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STGF10NB60SD 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 23A 25W TO220FP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 23 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A、Power - Max: 25 W。
STGF10NB60SD 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（600μJ (on), 5mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（33 nC）、Td (on/off) @ 25°C（700ns/1.2μs）、Test Condition（480V, 10A, 1kOhm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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