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AOT15B65M1 萬國半導體單 IGBT
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AOT15B65M1 萬國半導體單 IGBT

品牌:萬國半導體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 650V 15A TO220
¥17.35

萬國半導體 AOT15B65M1 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)45 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 15A
Power - Max214 W
Switching Energy290μJ (on), 200μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge32 nC
Td (on/off) @ 25°C13ns/116ns
Test Condition400V, 15A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)317 ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220

AOT15B65M1 萬國半導體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AOT15B65M1 是由 萬國半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 15A TO220。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 30 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A、Power - Max: 214 W。

AOT15B65M1 共有 16 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(290μJ (on), 200μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(32 nC)、Td (on/off) @ 25°C(13ns/116ns)、Test Condition(400V, 15A, 20Ohm, 15V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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AOT15B65M1常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是萬國半導體的代理商和供應商嗎?
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