HGTD1N120BNS9A 安森美單 IGBT

HGTD1N120BNS9A 安森美單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

HGTD1N120BNS9A 是由 安森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A。

HGTD1N120BNS9A 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（60 W）、Switching Energy（70μJ (on), 90μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（14 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/67ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。

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