BIDW50N65T是邦士電子旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BIDW50N65T現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供BIDW50N65T datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 416 W |
| Switching Energy | 3mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 123 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/125ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37.5 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
BIDW50N65T 是由 邦士電子 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A。
BIDW50N65T 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（416 W）、Switching Energy（3mJ (on), 1.1mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（123 nC）、Td (on/off) @ 25°C（37ns/125ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 邦士電子：自1947年由Marlan和Rosemary Bourns創(chuàng)立以來，Bourns公司一直是電子行業(yè)在電子元件和集成解決方案的設(shè)計(jì)、制造和銷售領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。作為行業(yè)創(chuàng)新者，Bourns將產(chǎn)品開發(fā)瞄準(zhǔn)高增長行業(yè)，如計(jì)算機(jī)、電信、汽車和便攜式電子產(chǎn)品。
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