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STGD6NC60H-1 意法半導(dǎo)體單 IGBT
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STGD6NC60H-1 意法半導(dǎo)體單 IGBT

品牌:意法半導(dǎo)體 分類:單 IGBT 描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK
¥9.29

意法半導(dǎo)體 STGD6NC60H-1 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)21 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 3A
Power - Max62.5 W
Switching Energy20μJ (on), 68μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge13.6 nC
Td (on/off) @ 25°C12ns/76ns
Test Condition390V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device PackageTO-251 (IPAK)

STGD6NC60H-1 意法半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

STGD6NC60H-1 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT N-CH 600V 7A IPAK。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 15 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A、Power - Max: 62.5 W。

STGD6NC60H-1 共有 15 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(20μJ (on), 68μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(13.6 nC)、Td (on/off) @ 25°C(12ns/76ns)、Test Condition(390V, 3A, 10Ohm, 15V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 意法半導(dǎo)體:意法半導(dǎo)體是一家全球獨立的半導(dǎo)體公司,是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)(IP)組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,使其在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位,其產(chǎn)品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

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STGD6NC60H-1常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導(dǎo)體的代理商和供應(yīng)商嗎?
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