MDD810-12N2 力特二極管陣列
力特 MDD810-12N2 二極管陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 807A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.24 V @ 2000 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 16.5 μs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 mA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
MDD810-12N2 力特二極管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
MDD810-12N2 是由 力特 制造的 二極管陣列 類電子元器件。MDD 810 - 12 N2。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、Diode Configuration: 1 Pair Series Connection、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 807A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.24 V @ 2000 A。
MDD810-12N2 共有 12 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed（Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（16.5 μs）、Current - Reverse Leakage @ Vr（50 mA @ 1200 V）、Operating Temperature - Junction（-40°C ~ 150°C）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關(guān)于 力特：力特產(chǎn)品在利用電能的應(yīng)用中是至關(guān)重要的組件，從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施。他們提供業(yè)界最廣泛和最深入的電路保護產(chǎn)品組合，同時在電源控制和傳感領(lǐng)域不斷擴展。作為其加速有機增長和戰(zhàn)略收購的企業(yè)戰(zhàn)略的一部分，他們正在擴展到相鄰市場。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機電和溫度傳感器；以及提供安全控制和分配電能的產(chǎn)品。
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