SCS230KE2GC11 羅姆半導體二極管陣列
羅姆半導體 SCS230KE2GC11 二極管陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 15A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 15 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 μA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247N |
SCS230KE2GC11 羅姆半導體二極管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
SCS230KE2GC11 是由 羅姆半導體 制造的 二極管陣列 類電子元器件。1200V, 30A, 3-PIN THD, SILICON-C。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A。
SCS230KE2GC11 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed（No Recovery Time > 500mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（300 μA @ 1200 V）、Operating Temperature - Junction（175°C）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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