IMN10T108是羅姆半導(dǎo)體旗下的二極管陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IMN10T108現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供IMN10T108 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 3 Independent |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 nA @ 70 V |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | SMT6 |
IMN10T108 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 二極管陣列 類電子元器件。DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 3 Independent、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA。
IMN10T108 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed（Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed）、Reverse Recovery Time (trr)（4 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 nA @ 70 V）、Operating Temperature - Junction（150°C (Max)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)IMN10T108等二極管陣列 產(chǎn)品。如您需要IMN10T108的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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