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P3D06006G2 PN結(jié)半導(dǎo)體單二極管
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P3D06006G2 PN結(jié)半導(dǎo)體單二極管

品牌:PN結(jié)半導(dǎo)體 分類(lèi):單二極管 描述:DIODE SIL CARB 650V 21A TO263-2
¥18.00

PN結(jié)半導(dǎo)體 P3D06006G2 單二極管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)21A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If-
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr30 μA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting Type-
Package / CaseTO-263-2
Supplier Device PackageTO-263-2
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

P3D06006G2 PN結(jié)半導(dǎo)體單二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

P3D06006G2 是由 PN結(jié)半導(dǎo)體 制造的 單二極管 類(lèi)電子元器件。DIODE SIL CARB 650V 21A TO263-2。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 21A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)、Reverse Recovery Time (trr): 0 ns。

P3D06006G2 共有 10 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Reverse Leakage @ Vr(30 μA @ 650 V)、Package / Case(TO-263-2)、Supplier Device Package(TO-263-2)、Operating Temperature - Junction(-55°C ~ 175°C) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū),獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。

關(guān)于 PN結(jié)半導(dǎo)體:PN Junction Semiconductor,中文名“PN結(jié)半導(dǎo)體”,是一家專(zhuān)注于高性能功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售的創(chuàng)新型企業(yè),采用Fabless(無(wú)晶圓廠(chǎng))模式,致力于為全球客戶(hù)提供領(lǐng)先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來(lái),便與全球頂級(jí)的晶圓代工廠(chǎng)X-FAB建立了深厚的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。X-FAB作為一家擁有超過(guò)30年歷史且完全通過(guò)汽車(chē)行業(yè)嚴(yán)苛認(rèn)證的晶圓廠(chǎng),為PN結(jié)半導(dǎo)體提供了卓越的硅碳化物(SiC)功率器件制造支持,確保了產(chǎn)品的高品質(zhì)與可靠性,使其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的元器件市場(chǎng)中脫穎而出。

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P3D06006G2常見(jiàn)問(wèn)題

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