RB886ASAFHT2RB是羅姆半導體旗下的射頻二極管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供RB886ASAFHT2RB現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供RB886ASAFHT2RB datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Diode Type | Schottky - Single |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 5V |
| Current - Max | 10 mA |
| Capacitance @ Vr, F | 0.8pF @ 1V, 1MHz |
| Resistance @ If, F | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOD-882 |
| Supplier Device Package | DFN1006-2W |
RB886ASAFHT2RB 是由 羅姆半導體 制造的 射頻二極管 類電子元器件。5V, 10MA, DFN1006-2W, AUTOMOTIVE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Diode Type: Schottky - Single、Voltage - Peak Reverse (Max): 5V、Current - Max: 10 mA、Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 1V, 1MHz、Operating Temperature: 150°C (TJ)。
RB886ASAFHT2RB 共有 8 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Package / Case（SOD-882）、Supplier Device Package（DFN1006-2W） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關(guān)于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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