EMD4E001G16G2-150CAS2是艾斯普恩科技旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EMD4E001G16G2-150CAS2現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供EMD4E001G16G2-150CAS2 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | RAM |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Memory Size | 1Gbit |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 667 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 18 ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Supplier Device Package | 96-BGA (10x13) |
EMD4E001G16G2-150CAS2 是由 艾斯普恩科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC RAM 1GBIT PAR 96BGA。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: RAM、Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)、Memory Size: 1Gbit。
EMD4E001G16G2-150CAS2 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（64M x 16）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（667 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（18 ns） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關(guān)于 艾斯普恩科技：艾斯普恩科技（Everspin Technologies, Inc.），總部位于亞利桑那州錢德勒，是全球領先的磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）和自旋電子傳輸MRAM（ST-MRAM）分離式及嵌入式產(chǎn)品的設計、制造和商業(yè)化出貨商。作為一家專注于前沿**電子元器件**和**IC芯片**研發(fā)的企業(yè)，艾斯普恩科技致力于為數(shù)據(jù)持久性與完整性、低延遲以及安全性至關(guān)重要的市場和應用提供創(chuàng)新的存儲解決方案。公司憑借其卓越的**元器件**技術(shù)，在全球范圍內(nèi)享有盛譽，尤其在高性能存儲領域扮演著關(guān)鍵角色。
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