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EPC2152ENGRT 意法半導體全半橋驅動器
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EPC2152ENGRT 意法半導體全半橋驅動器

品牌:意法半導體 分類:全半橋驅動器 描述:IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
¥70.27

意法半導體 EPC2152ENGRT 全半橋驅動器

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Output ConfigurationHalf Bridge
ApplicationsSynchronous Buck Converters
InterfaceLogic, PWM
Load TypeInductive, Capacitive
TechnologyGallium Nitride (GaN) FETs
Rds On (Typ)8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Current - Output / Channel12.5A
Current - Peak Output-
Voltage - Supply11V ~ 13V
Voltage - Load11V ~ 13V
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
FeaturesBootstrap Circuit
Fault ProtectionUVLO
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case12-WFLGA
Supplier Device Package12-LGA (3.85x2.59)

EPC2152ENGRT 意法半導體全半橋驅動器 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

EPC2152ENGRT 是由 意法半導體 制造的 全半橋驅動器 類電子元器件。IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: Synchronous Buck Converters、Interface: Logic, PWM、Load Type: Inductive, Capacitive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。

EPC2152ENGRT 共有 16 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Typ)(8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS)、Current - Output / Channel(12.5A)、Voltage - Supply(11V ~ 13V)、Voltage - Load(11V ~ 13V)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 意法半導體:意法半導體(EPC)作為氮化鎵(GaN)功率管理器件領域的創(chuàng)新領導者,始終致力于推動電子元器件技術的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強型氮化鎵硅基(eGaN?)場效應晶體管,成功地將GaN技術應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET,EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍,為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。

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EPC2152ENGRT常見問題

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