EPC21603ENGRT是意法半導(dǎo)體旗下的激光驅(qū)動器 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EPC21603ENGRT現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供EPC21603ENGRT datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Type | - |
| Data Rate | - |
| Number of Channels | - |
| Voltage - Supply | - |
| Current - Supply | - |
| Current - Modulation | - |
| Current - Bias | - |
| Operating Temperature | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
| Mounting Type | - |
EPC21603ENGRT 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 激光驅(qū)動器 類電子元器件。IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者，始終致力于推動電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應(yīng)晶體管，成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。
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